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近傍磁界強度分布 平行平板共振(2)

2009年8月21日

前回(7/31)の記事で,2枚のプリント基板の近傍磁界強度分布をご紹介しました。

実はこの2枚のプリント基板は,内層の厚みが少し違うだけなのです。

A基板
B基板

このプリント基板では,信号線がGND層をまたぐことで,GND層を励振させています。その時,プリント基板の大きさによって,固有の共振が発生します。

この共振はGND層と電源(Vcc)層が「平行平板共振器」を形成することから,一般に平行平板共振と呼ばれています。

B基板はGND層と電源層の厚みを薄くすることで,平行平板共振を抑え込んでいます。

実際の基板では,平行平板共振の状態は,励振の状態や,実装された多数の電子部品(コンデンサなど)の影響により,正確に予想するのは困難です。

したがって,近傍磁界強度の測定により,共振の状態を把握することは,放射EMI対策にとって極めて重要となります。

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