多層膜スパッタ装置 S600 多層・積層成膜プロセスの生産性を向上に貢献します。

特徴

  • 最大5基のカソードが搭載可能で生産性の高い多層成膜が可能
  • T-S距離調整により長期間の高膜厚均一性を維持
  • Ar冷却の導入で低温製膜が可能(オプション)
  • ヒーターステージ(1000℃)の搭載で高温プロセスが可能(オプション)

最大5基のカソード搭載可能

  • ダブルロードロック室で高生産性を実現
  • クラスタタイプとロータリタイプの融合で多様なプロセスに対応
  • 各ポジションに様々なユニットを装着可能
    逆スパッタ、裏面スパッタ、Arクリーニング
    φ250~350ターゲットカソード etc
  • 3~6インチ基板処理に対応

スパッタカソード構造

  • 回転磁石による大口径ワイドエロージョンで、高精度な膜厚均一性とターゲットの長寿命化を実現します。
  • 磁場設計は当社がシミュレーションにて設計し、お客様のご要望に最大限お答え致します。

T-S調整機構

  • ターゲット侵食による膜厚分布変化を、T-S距離を調整し、
    ターゲット寿命まで膜厚分布を均一化します。

Ar冷却機構

  • スパッタ時に、基板裏面にArガスを封入する
    ことで冷却効率を向上します。(オプション)

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材料

DC電力

成膜時間

基板温度

従来

Cu

3000W

300sec

270℃以下

Arガス冷却

110℃以下

基板加熱機構

  • 高温プロセス用に1000℃ヒーターステージ搭載可能(オプション)

主要スペック

ターゲットサイズ

Φ350,Φ300mm t=15mm

対応ウエハ

φ3インチ φ4インチ φ6インチ

膜厚分布(基板面内)

±0.2%

ターゲット寿命(700nm/枚)

4800枚(Al)

ターゲット利用効率
(初期重量/終期重量)

40%

装置構成