多層膜スパッタリング装置 S600/S800 多層・積層成膜プロセスの改善により電子部品の品質強化と生産性向上に貢献します

特徴

  • ロータリタイプとマルチチャンバタイプの装置形態を準備
  • T/S距離の自動調整機構により長期間に亘り高膜厚均一性を維持
  • 独自のプラズマ制御(MPスパッタ)技術によりスパッタリング薄膜の特性を向上
  • ご要望の成膜プロセスにお応えする多様なユニットが搭載可能
  • 開発工程~量産工程までの様々な用途に対応

システムラインアップ

ロータリタイプ S600の装置構成図
ロータリタイプ S600の装置外観図

ロータリタイプ S600

マルチチャンバタイプ S800の装置構成図
マルチチャンバタイプ S800の装置外観図

マルチチャンバタイプ S800

T/S距離調整機構

  • ターゲット侵食による膜厚分布変化を、T/S距離を自動調整することでターゲット寿命まで膜厚分布の高均一性を維持

スパッタカソード

  • 偏芯回転磁石による大口径ワイドエロージョンで、高精度な膜厚均一性とターゲットの長寿命化を実現
  • 磁場設計は当社がシミュレーションにて設計し、お客様のご要望に最大限対応

MPスパッタ

  • 独自のプラズマ制御技術により、DCマグネトロンスパッタ方式で
    ① スパッタ粒子の高エネルギー化
    ② 活性種の高密度化
    ③ 基板上粒子のマイグレーション促進
    を実現
  • 電子部品の小型化・高性能化に不可欠な高結晶/高配向機能膜、高密度/高耐湿保護膜、低抵抗金属膜等の成膜が可能

多様なユニットが搭載可能

  • ダブルロードロック室で高生産性を実現
  • 最大φ8インチ基板(S600はφ6インチ)まで対応
  • 各プロセスポジション(S600)およびモジュール(S800)に様々なユニットを搭載可能
    ・DC/RFカソード・MPスパッタ(独自技術)・Arクリーニング・チムニー冷却
    ・逆スパッタ・基板バイアス・基板加熱・基板冷却

主な仕様

S600

S800

装置外観

多層膜スパッタリング装置 S600の外観写真
多層膜スパッタリング装置 S800の外観写真

装置形態

ロータリタイプ

マルチチャンバタイプ

処理基板サイズ

φ3~6インチ基板

φ4~8インチ基板

プロセスモジュール

最大:2室

最大:3室

スパッタカソード

最大:5基

最大:3基

ターゲットサイズ

φ200~350㎜

φ200~400㎜

小型スパッタリング装置 ご要望の成膜プロセスにお応えする多様なユニットを準備 研究開発の加速から小規模生産までを実現します

特徴

  • Φ8インチ基板/φ300mmターゲットに対応(最大)
  • 簡易のロードロック室を装備(1枚投入)
  • 基板セット後の搬送/成膜プロセスは自動制御
  • サセプタの昇降動作にてT/S距離の調整が可能
  • 当社S600/S800装置のユニットが搭載可能
小型スパッタリング装置外観図

主な仕様

小型スパッタリング装置

装置外観

小型スパッタリング装置の外観写真

装置動作

自動制御(基板セット後)

処理基板サイズ

~φ8インチ基板

プロセスモジュール

1室

スパッタカソード

1基

ターゲットサイズ

φ200~300㎜