多層膜スパッタリング装置 S600/S800
特徴
- ロータリタイプとマルチチャンバタイプの装置形態を準備
- T/S距離の自動調整機構により長期間に亘り高膜厚均一性を維持
- 独自のプラズマ制御(MPスパッタ)技術によりスパッタリング薄膜の特性を向上
- ご要望の成膜プロセスにお応えする多様なユニットが搭載可能
- 開発工程～量産工程までの様々な用途に対応
ロータリタイプ S600
マルチチャンバタイプ S800
T/S距離調整機構
- ターゲット侵食による膜厚分布変化を、T/S距離を自動調整することでターゲット寿命まで膜厚分布の高均一性を維持
スパッタカソード
- 偏芯回転磁石による大口径ワイドエロージョンで、高精度な膜厚均一性とターゲットの長寿命化を実現
- 磁場設計は当社がシミュレーションにて設計し、お客様のご要望に最大限対応
MPスパッタ
- 独自のプラズマ制御技術により、DCマグネトロンスパッタ方式で
① スパッタ粒子の高エネルギー化
② 活性種の高密度化
③ 基板上粒子のマイグレーション促進
を実現 - 電子部品の小型化・高性能化に不可欠な高結晶/高配向機能膜、高密度/高耐湿保護膜、低抵抗金属膜等の成膜が可能
多様なユニットが搭載可能
- ダブルロードロック室で高生産性を実現
- 最大φ8インチ基板(S600はφ6インチ)まで対応
- 各プロセスポジション(S600)およびモジュール(S800)に様々なユニットを搭載可能
・DC/RFカソード・MPスパッタ(独自技術)・Arクリーニング・チムニー冷却
・逆スパッタ・基板バイアス・基板加熱・基板冷却
主な仕様
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S600 |
S800 |
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装置外観 |
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装置形態 |
ロータリタイプ |
マルチチャンバタイプ |
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処理基板サイズ |
φ3～6インチ基板 |
φ4～8インチ基板 |
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プロセスモジュール |
最大:2室 |
最大:3室 |
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スパッタカソード |
最大:5基 |
最大:3基 |
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ターゲットサイズ |
φ200～350㎜ |
φ200～400㎜ |
小型スパッタリング装置
特徴
- Φ8インチ基板/φ300mmターゲットに対応(最大)
- 簡易のロードロック室を装備(1枚投入)
- 基板セット後の搬送/成膜プロセスは自動制御
- サセプタの昇降動作にてT/S距離の調整が可能
- 当社S600/S800装置のユニットが搭載可能
主な仕様
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小型スパッタリング装置 |
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装置外観 |
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装置動作 |
自動制御(基板セット後) |
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処理基板サイズ |
～φ8インチ基板 |
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プロセスモジュール |
1室 |
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スパッタカソード |
1基 |
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ターゲットサイズ |
φ200～300㎜ |
お問い合わせ
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