半導体の故障解析

不具合の原因究明のためには、半導体の内部観察が必要な場合があります。 自社保有の半導体分析装置を用い、以下に示すフローに従って最適な手法を選定し、故障箇所の特定や、破壊メカニズムを推定を行います。

半導体の故障箇所特定までの流れ

半導体の故障箇所特定までの流れ 半導体の故障箇所特定までの流れ

樹脂溶解や研磨による半導体素子の露出

酸を用いて、電気特性を維持した状態のまま、樹脂を除去します。

HIC(Hybrid IC)の制御IC部 部分開封事例

レーザを用いて樹脂を除去します。 これにより、酸処理の時間が短縮されるため、銅ワイヤを使用した半導体素子の樹脂開封も可能になります。

レーザ開封装置 PL101
レーザ加工した半導体
銅ワイヤ使用半導体の開封事例

半導体の故障箇所を特定

半導体デバイス内部の電流から発生する微弱な光により故障箇所を特定します。

THEMOS-1000
発熱像拡大
チップ抵抗の異常リーク
箇所の可視化事例
プリント配線板上の異常
リーク箇所の可視化事例

詳細は「電子部品の発熱解析」をご覧下さい。

半導体の故障解析事例

事例 マイコンの駆動電流が増加するというトラブルが発生

ステップ(1)

駆動電流量が増加した不良品について、発光解析を用いて、発光部位の差を良品と比較することで、不良と思われるブロックを抽出する。 

不良品、良品

ステップ(2)

パッド隣の回路にてOBIRCH反応を取得。
ESD保護用回路と思われる部位に電流が流れていると考えられる。 

ESD保護用回路