表面分析

AES、XPS(ESCA)、SIMS等の分析手法により、極表面の元素組成や化学結合状態を明らかにします。

極表面の元素分析:オージェ電子分光分析(AES)

超高真空中で、試料表面に電子線を入射して、極表面から放出される電子のエネルギースペクトルから構成元素を明らかにします。 また、付属のアルゴンイオン銃を併用して、深さ方向の分析も可能です。

  • 電極表面のワイヤボンディング不良部の分析
  • めっき膜などに発生した異物特定や変色原因物質の分析
  • 金属酸化膜や多層薄膜材料の深さ方向分析
AESの原理と測定スペクトルの例

極表面の状態分析:X線光電子分光分析(XPS、ESCA)

超高真空中で試料表面にX線を照射して、極表面から放出される光電子のエネルギースペクトルから構成元素や化学結合状態を明らかにします。
また、付属のアルゴンイオン銃を併用して、深さ方向の分析も可能です。(有機多層膜の分析では、試料ダメージを抑えるために、 アルゴンガスクラスターイオン銃を使用する場合もあります。)

  • 表面改質した樹脂表面の状態分析
  • めっき膜、スパッタ膜などの表面処理状態の分析
  • 有機多層膜の深さ方向分析
XPSの原理と測定スペクトルの例

極表面の微量成分分析:二次イオン質量分析(SIMS)

超高真空中で試料表面にイオンビームを入射して、極表面から放出される二次イオンを質量分離して検出することによって、試料表面の微量構成元素を明らかにします。

  • 低エネルギーイオン注入のプロファイル分析
  • 極薄膜の深さ方向プロファイル分析
  • 試料表面に付着した異物の分析
SIMSの原理と測定スペクトルの例

極表面の有機物分析:飛行時間型二次イオン質量分析(TOF-SIMS)

超高真空中で試料表面にパルス状のイオンビームを入射して、極表面から放出される二次イオンを飛行時間型検出器で質量分離して検出することによって、試料表面の有機物の解析を行います。
また、付属のエッチング用イオン銃を併用して、深さ方向の分析も可能です。(分子構造の開裂を抑えるために、 アルゴンガスクラスターイオン銃を使用する場合もあります。)

  • 電極表面の汚染物の分析
  • 半導体プロセスにおける付着物の分析
  • 樹脂表面でのトラブル原因解析
  • 有機多層膜の深さ方向分析
TOF-SIMSの原理と測定スペクトルの例